現(xiàn)有加熱電源存在的問題：

    盡管我國晶體生長設(shè)備的自動化程度有了很大提高，但是在常規(guī)的直拉法溫度控制環(huán)節(jié)的設(shè)計上還存在以下問題：

    (1)加熱電源的智能化程度不高。純模擬電路構(gòu)成，單閉環(huán)控制，自動化程度偏低，功率的調(diào)節(jié)常滯后于系統(tǒng)對溫度的實際要求。

    (2)溫度需要手動調(diào)節(jié)。該設(shè)備在運行過程當中不能完全做到無人值守，對于引徑、放肩及熔料過程的溫度控制還需要工作人員通過電源柜的旋鈕手動調(diào)節(jié)輸出值，等徑生長過程的實際控溫精度與理論值也有差距，參數(shù)的設(shè)置、調(diào)節(jié)和記錄均需要值守人員參與完成。

    單晶爐改進方案：

    裝置采用模塊化設(shè)計，微機控制，內(nèi)置自適應(yīng)能力較強的模糊PID控制算法，具有控制參數(shù)自動調(diào)節(jié)、顯示，可通過按鍵設(shè)定初值，系統(tǒng)異常可自動聲光告警等新功能，即從整體上提高溫控系統(tǒng)的智能化程度和控制精度，加快參數(shù)調(diào)節(jié)的響應(yīng)速度，使整個生產(chǎn)過程中爐溫的變化能快速平滑地跟隨工藝曲線變化，裝置通用性強，操作上更加簡單、可靠。

    單晶爐主要技術(shù)指標：

    單晶爐加熱電源是一種大功率直流電源，要求輸出功率lOOkW，輸出電壓為0-5V可調(diào)，輸出電流為0-3000A；其輸出的能量可直接為單晶爐內(nèi)的石墨加熱器供熱，加熱溫度范圍為o～2000℃，控溫精度要求達到±5℃；各種信號可自動檢測、顯示，參數(shù)的修改和設(shè)定可通過按鍵進行，以此來滿足單晶硅在生長階段對溫度的嚴格要求。